搜索结果: 1-12 共查到“物理学 量子阱结构”相关记录12条 . 查询时间(0.101 秒)
中国科学院物理研究所专利：量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构。通过引入厚的ZnxCd1-xSe空间层,抑制了MgSe垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构。通...
近紫外380nm发光二极管的量子阱结构优化
近紫外发光二极管 多量子阱 垒层 AlGaN
2013/10/15
模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响。有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6 nm/8 nm/6 nm和7 nm/6 nm/7 nm。对比分析发现,与GaN垒层相比,选用AlGaN系列垒层可以将更多的...
利用多周期量子阱结构提高有机发光二极管的效率
有机量子阱结构 电致发光 亮度 电流效率
2014/3/20
研究了几种具有不同周期数的量子阱结构和不同势垒层厚度的有机电致发光器件的特性。器件中的量子阱结构是由tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)和2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)两种材料制备的。其中Alq3层作为电子的势阱层,BCP层作为电子的势垒层。实验结果表明,两个周期的阱结构器件的电流效...
一维对称光量子阱结构多通道滤波特性研究
光子晶体 光量子阱 多通道滤波
2009/8/13
利用传输矩阵法研究了一维对称光量子阱结构的多通道滤波特性,发现该结构的多透射峰具有分布对称、近似等间距和高透射率等特点,且峰值位置能利用等效理论近似解析求出.透射峰的数目可通过阱区结构参量确定和进行调整,结构的光子禁带范围可通过材料参量的选择获得极大的展宽.该结构只采用两种材料,结构简单,易于制作,具有较大的材料选择性.
含复介电常量一维光子晶体量子阱结构研究
光子晶体 量子阱 复介电常量 共振透射
2010/9/27
利用传输矩阵法研究了实介电常量和含复介电常量时一维光子晶体的透射谱.结果表明：两种情况下均构成光量子阱结构,并且光量子阱结构的透射能带谱位置和结构相同,但在含复介电常量负虚部情况下共振透射峰出现很强的增益现象,而在含复介电常量正虚部情况下共振透射峰则呈现明显的衰减现象.
一维对称光量子阱结构多通道滤波特性研究
光子晶体 光量子阱 多通道滤波
2009/3/4
利用传输矩阵法研究了一维对称光量子阱结构的多通道滤波特性,发现该结构的多透射峰具有分布对称、近似等间距和高透射率等特点,且峰值位置能利用等效理论近似解析求出.透射峰的数目可通过阱区结构参量确定和进行调整,结构的光子禁带范围可通过材料参量的选择获得极大的展宽.该结构只采用两种材料,结构简单,易于制作,具有较大的材料选择性.
调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子
光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
2008/11/28
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2—5 K)条件下的光致发光(PL)，光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献，非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是...
Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟
Ge/Si量子阱 C-V 特性法 迭代法
2008/10/24
采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布，并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性. C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征，它与量子阱结构参数有密切的关系. 随着覆盖层厚度的减小，C-V曲线上平台起始点的电容值增加，并且向低电压方向移动直至其消失. 随着量子阱中的掺杂浓度提高，阱中的载流子...
锗硅量子阱结构带间吸收边研究
2007/8/20
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究.实验观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅量子阱结构的带间吸收边谱线发生了有规律的变化.通过对锗硅量子阱材料的光电流谱的带间跃迁吸收边的拟合,得到了硅导带到锗价带的能带宽度分别为1.043 eV和1.050 eV.随着外加电场的增强,带边的吸收曲线向低能方向移动.通过理论计算得到了带间跃迁吸收边的漂移量与外加电场的关系,并与实验吻合较好.随着温...