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Academy of Mathematics and Systems Science, CAS Colloquia & Seminars：一个和量子输运相关的双正交系综
量子输运 双正交系综综 一维量子输运
2023/4/14
我们讨论一个特殊双正交（biorthogonal）系综的整体和局部极限行为。这个双正交系综源自对一维量子输运问题的研究，对应一维量子输运的Dorokhov-Mello-Pereyra-Kummar（DMPK）方程的diffusive regime 的近似解。我们从Riemann-Hilbert 问题的角度考虑这个双正交系综。
近日，中国人民大学物理学系雷和畅教授、刘凯教授，与中科院合肥研究院强磁场中心开展合作，利用稳态强磁场实验装置研究了强磁场下CsV3Sb5单晶的量子输运物性。通过对Shubnikov-de Haas（SdH）量子振荡的分析以及与理论计算结果比较，从实验上验证了CsV3Sb5存在拓扑非平庸的电子结构。相关结果以为题11月12日在线发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）...
作为一种新型的二维半导体材料，利用分子束外延技术生长的单晶锑化铟(InSb)纳米片具有带隙窄，电子有效质量轻，迁移率高，朗德g因子大，自旋-轨道耦合强等特点，是构筑并研究高速电子器件，红外光电子器件，量子器件，自旋电子学器件的优质半导体材料。
北京大学物理学院俞大鹏院士领导的“纳米结构与低维物理”团队在该领域取得系列重要进展。该团队廖志敏研究员等在高晶体质量的狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到手征反常导致的负磁电阻效应【Nat. Commun. 6, 10137 (2015)】；并借助于纳米线比表面积大的优势，测量到起源于拓扑表面态输运的π A-B效应【Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev....
石墨烯材料因其特殊的能带结构、超高的迁移率和新奇的输运特性，成为探索新物性、研制新型量子电子器件的理想体系。其中，对于石墨烯掺杂体系输运特性的研究有助于理解掺杂石墨烯中的载流子输运特性和散射机制，在石墨烯材料和电子器件性能优化方面具有重要指导意义。
强磁场中心拓扑绝缘体纳米线表面态量子输运研究获进展（图）
强磁场中心 拓扑绝缘体纳米线 表面态量子输运 研究进展
2013/2/21
2013年2月6日，《自然》子刊《科学报告》（Scientific Reports）发表了中科院合肥物质科学研究院强磁场科学中心田明亮研究小组的最新科研成果：拓扑绝缘体Bi2Te3纳米线表面Dirac态的双重证据（Dual evidence of surface Dirac states in thin cylindrical topological insulator Bi2Te3 nanowi...
与量子输运方程相一致的夸克经典输运方程
夸克 输运方程 色空间 自旋空间
2008/1/29
用Sμν作为描述夸克自旋的动力学变量建立了它的经典输运方程，并讨论了该方程与量子输运方程的一致性，通过一致性的比较探讨了经典分布函数在色空间和自旋空间的一些特性.