搜索结果: 1-11 共查到“理论物理学 霍尔效应”相关记录11条 . 查询时间(0.291 秒)
中国科大在陈数可调量子反常霍尔效应方面取得新进展（图）
陈数可调量子 霍尔效应 量子功能材料
2022/11/15
2022年7月19日，中国科学技术大学科研部合肥微尺度物质科学国家研究中心国际量子功能材料设计中心与物理系乔振华教授研究组基于单层过渡金属氧化物发现了理论上陈数可调的量子反常霍尔效应。该成果于2022年2022年7月14日发表在物理类国际著名学术期刊《物理评论快报》上[Phys. Rev. Lett.129，036801 (2022)]，并被选为当期封面。论文第一作者为2022届博士毕业生李泽宇。
南方科技大学卢海舟团队在三维量子霍尔效应理论取得重要进展（图）
南方科技大学 卢海舟 三维量子 霍尔效应
2020/12/18
近日，南方科技大学物理系、量子科学与工程研究院教授卢海舟团队在三维霍尔效应理论方面取得重要进展，相关成果以“Theory for the Charge-Density-Wave Mechanism of 3D Quantum Hall Effect”为题在《物理评论快报》(Physical Review Letters) 发表[1]。该成果被选为编辑推荐并被美国物理学会作为Physics杂志Vie...
量子相变是指在绝对零度下系统随着物理参数变化而出现的相变。尽管绝对零度时系统已经处于某一个基态，这个基态可能随着温度之外的另一个参数的改变而改变，这样的相变可以用标度行为描述，这个相变点称为量子临界点。根据单参数标度理论，在临界点附近，一些物理量之间存在指数关系，多个物理参数可以通过一个指数因子由单一参数表示，这个指数因子被称为临界指数，可以与系统微观性质无关。有限温度下，量子临界点附近存在热涨落...
2020年1月11日，由中国科学院、中国工程院主办，中国科学院学部工作局、中国工程院办公厅、中国科学报社承办，中国科学院院士和中国工程院院士投票评选的2019年中国十大科技进展新闻、世界十大科技进展新闻在京揭晓。我校张立源团队首次观测到三维量子霍尔效应入选，这一重要研究成果在线发表在国际知名学术期刊《自然》上。
中国科学技术大学物理实验课件 通过霍尔效应测量磁场
中国科学技术大学 物理实验 课件 通过霍尔效应测量磁场
2019/3/27
中国科学技术大学物理实验课件 通过霍尔效应测量磁场。
最近，北京大学物理学院量子材料科学中心谢心澄教授与中心访问学者苏州大学陈垂针教授、北京师范大学刘海文研究员合作，在反常量子霍尔效应的研究方面取得重要进展。他们发现，由于实验中体系的结构反演对称性通常是被破坏的，这将导致体系的霍尔电导平台转变过程中出现临界区间。标度分析表明这个相变属于BKT相变这一新普适类。这一研究成果在线发表于1月15日的《物理学评论快报》【Phys. Rev. Lett.122...
SHMFF用户揭示基于外尔轨道的三维量子霍尔效应（图）
SHMFF用户 外尔轨道 三维 量子霍尔效应
2018/12/25
科学家们对量子霍尔效应的研究一直停留于二维体系，从未涉足三维领域。近日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户复旦大学物理系教授修发贤课题组首先在该领域实现突破，在拓扑半金属砷化镉纳米片中观测到由外尔轨道形成新型三维量子霍尔效应的直接证据，迈出了从二维到三维的关键一步。12月17日，相关研究成果在线发表于《自然》期刊。该工作高磁场实验部分在中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心稳态强磁场实验装置...
近日，复旦大学物理学系修发贤课题组首先在该领域实现重大突破，在拓扑半金属砷化镉纳米片中观测到了由外尔轨道形成的新型三维量子霍尔效应的直接证据，迈出了从二维到三维的关键一步。
中国首次实验发现量子反常霍尔效应
中国 首次实验 量子反常 霍尔效应
2013/6/14
我国在量子科学研究中取得重大突破，在磁性掺杂的拓扑绝缘体薄膜中，首次观测到量子反常霍尔效应。该成果被视为世界基础研究领域的一项重要科学发现。
中国科学院物理所预言Hg1-yMnyTe量子阱中的反常量子霍尔效应（图）
Hg1-yMnyTe量子 霍尔效应
2008/10/16
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室戴希研究员和方忠研究员与美国斯坦福大学的张首晟教授合作研究了Hg1-yMnyTe量子阱中的输运性质。他们预言了一个新奇的现象：即在这一体系中，反常霍尔效应也可以被量子化。相关结果发表在PHYSICAL REVIEW LETTERS 101 (2008)146802。
80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应
2007/12/12
文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×1013—7×1017cm-3。由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率等数值,讨论了电子的散射机构以及强磁场下磁阻与磁场强度成一次方正比关系的可能原因。