搜索结果: 136-150 共查到“化学 光电”相关记录208条 . 查询时间(0.12 秒)
摘要 以含有共轭大π键的有机金属聚合物(OMP)作有机组分, 以Keggin结构和Dawson结构钨(钼)磷杂多酸作无机组分, 以十八胺为辅助成膜剂, 用LB技术制备了3种新型有机金属聚合物/十八铵/杂多阴离子OMP/ODA/HPA (HPA＝PMo12, PW12, P2Mo18)杂化LB膜. 用π-A曲线﹑UV-vis吸收光谱﹑荧光光谱﹑原子力显微镜(AFM)﹑扫描隧道显微镜(STM)和表面光...
摘要 研究粉末电催化剂目前多采用多孔电极(如气体扩散电极)方法, 也用糊状电极或粉末悬浮液方法, 但均不适于研究电极过程动力学.为了研究粉末催化剂, 我们制备了软嵌式超薄层粉末旋转盘环电极和光电化学电极. 这种电极制备简单, 实验数据重现性良好, 能广泛用于各种电极过程动力学研究.
摘要 研究了五甲川菁敏化SnO~2纳米结构电极的光电化学行为。结合循环伏安曲线图及五甲川菁的光吸收阈值,初步确定五甲川菁染料电子基态和激发态能级位置。结果表明,五甲川菁染料电子激发态能级位置能与SnO~2纳米粒子导带边位置相匹配,因而使用该染料敏化可以显著地提高SnO~2纳米结构电极的光电流,使SnO~2纳米结构电极吸收波长红移至可见光区和近红外区,光电转换效率得到明显改善,IPCE值(单色光的转...
摘要 研究了NiO纳米结构电极及五甲川菁染料敏化NiO纳米结构电极的光电化学行为。结果表明，NiO纳米结构电极在光照下产生阴极光电流，为p-型半导体，其禁带宽度为2.8eV，使用五甲川菁染料敏化可以显著地提高NiO纳米结构电极的阴极光电流，使NiO纳米结构电极吸收波长红移至可见光区，光电转换效率得到明显改善。研究了OTE/TiO~2/Ru(bpy)~2(SCN)~2和OTE/NiO/PMC作为光阳...
摘要 用光电化学方法研究了铜电极在含苯并三唑(BTA)的硼砂-硼酸缓冲溶液中的光电化学行为。BTA能使铜电极的光响应由p-型转变为n-型。产生光响应的原因是铜电极表面的Cu2O膜。当BTA存在时由于BTA的作用致使电极表面Cu2O膜中共存着p-型和n-型区域, 电位正移和频率增加导致电极显示n-型光响应。
取代基对4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类电致发光材料光电特性的影响
三芳胺 电致发光 空穴传输 取代基
2007/12/23
摘要 用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安法(CV)、微分脉冲伏安法(DPV)等手段研究了4个4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类化合物的光电性能, 计算出它们的电离势(PI)在5.70～5.90 eV, 带隙值(Eg)在2.78～2.88 eV, 分析了电化学行为, 讨论了取代基对吸收光谱、发射光谱和电子结构的影响. 结果表明, 引入供电子基团OCH3后, 分子氧化电位降低, HOMO能量升高, ...
摘要 本文以n/n^+-Si半导体为基底, 通过碱溶液刻蚀处理和Ni/Pt双层金属膜表面修饰后作为光阳极, 用于1.0mol·dm^-^3KOH溶液中光助电解水析氧。在恒电势1.0V(相对HgO/Hg电极)和90mW·cm^-^2光照射下, 最佳电极的析氧电流达到65.2mA·cm^-^2, 稳定性实验表明, 连续光照不超过200小时, 光电极具有良好的抗腐蚀性。对电极表面进行了X-光电子能谱(E...
摘要 本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响, 观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性。测定和讨论了八种有机物得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用, 最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增。还研究了具有MIS器件结构的Si/LB/Al电极的光电化学行为, 发现它具有良好的光电效应。
纳米结构TiO2/聚3-甲基噻吩多孔膜电极光电化学研究
TiO2/PMT复合膜电极 光电化学 导电聚合物
2007/12/23
摘要 用光电流作用谱、光电流-电势图、紫外-可见吸收光谱等光电化学方法研究了导电玻璃(ITO)/TiO2/聚3-甲基噻吩(PMT)电极的光电转换性质. 结果表明, PMT膜为p型半导体, 其禁带宽度为1.93 eV. 并通过循环伏安和光电化学方法确定了其导带位置为－3.44 eV, 价带为－5.37 eV, 在纳米TiO2与PMT之间存在p-n异质结, ITO/TiO2/PMT电极不仅提高了光电流...
摘要 本文制备了两亲性卟啉-紫精化合物的LB膜材料, 用π-A等温曲线、吸收光谱、小角和低角X射线衍射以及扫描隧道电镜(STM)等方法研究了LB膜的结构。结果表明, LB膜内分子排列是二维有序的超晶格结构, 卟啉环在基片上的排列呈"站立"状态。单个分子占有面积为1.15nm^2, 单层高度为2.35nm, 相邻裂间的距离为1.07nm。这种规则有序的两亲性卟啉-紫精化合物呈现出良好的光量子收率和光...
静电势方法研究分子间的电子转移 II: 在光电转移模拟体系中的应用
光电流 模拟 从头计算法 势垒 静电势 光电变换 电子转移 动力学参数 分子体系 国家科委863高科技项目基金
2007/12/23
摘要 用从头算和静电势方法研究了光电转换模拟体系C~6H~7N+C~6H~8N^+中的分子间电荷转移。通过计算分子间的静电势分布, 确定了电子在分子间运动所需穿透势垒的特性, 对电子穿透几率及穿透弛时间等参数作了理论预测并研究了外接基团的影响。在分子间距d=0.35nm时, 穿透几率P=2.94x10^-^4, 穿透弛豫时间τ=3.4x10^-^1^0s, 在此情况下, 由模型分子组成的截面积为1...
含咔唑基团的新颖Re(Ⅰ)配合物的合成、表征和光电性质的研究
铼络合物 电致发光 荧光分析 光电性质 咔唑 P 咪唑 P 二氮杂菲 P 元素分析 红外分光光度法 紫外分光光度法 质子磁共振谱法 循环伏安法
2007/12/23
摘要 合成了一种含咔唑基团的新颖配合物Re(CO)_3CLL[L=1-乙基-2-(N-乙基－咔唑 并-4-)咪唑并[4.5-f]1,10-邻菲咯啉],通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、~1H NMR、荧光光谱和循环伏安学对其进行了表征，制备了基于真空沉积膜的双层电致 发光器件：ITO/TPD (30 nm)/Re(Co)_3CLL (10 nm)/Mg_(0.9)Ag_(0.1) (110 nm)...
摘要 本文应用循环伏安法研究了n型碲化镉单晶电极的光致腐蚀行为; 并运用PAR M368电化学阻抗系统测得了此电极在不同电位下的交流复阻抗图, 估算了此电极表面态密度及其它参数。实验结果表明, n-CdTe/液体结具有Sehottky结的特征, 此电极的Fermi能级可能有"钉扎"现象。
摘要 首次选用聚乙烯咔唑（PVK）、二十二烷酸（BA）与杂多阴离子用LB技术制备 了五种有机/无机杂化LB膜，PVK/BA/HPC（HPC = Na_5(PZ(H_2O)Mo_(11)O_(39)]· 5H_2O, Z = Mn, Co, Cu, Zn, Ni）。用原子力显微镜（AFM），UV-vis，小角X射 线衍射（LAXRD），表面光电压谱（SPS），荧光光谱等对LB膜的结构与性质进行了 表...
摘要 采用原位化学法在纳米结构TiO2膜上制备了量子点CdS, PbS (Q-CdS, Q-PbS), 并用电化学方法在TiO2/Q-CdS, TiO2/Q-PbS表面聚合3-甲基噻吩[poly(3-Methylthiophene, PMeT)]. 用光电化学方法研究了PMeT修饰Q-CdS, Q-PbS连接TiO2纳米结构膜, 实验结果表明, PMeT和Q-CdS, Q-PbS单独修饰纳米结构T...