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深紫外LED器件因对新型冠状病毒具有显著的灭杀效果而成为面向人民生命健康的国家重大需求，高铝组分铝镓氮（AlGaN）的高效p型掺杂是实现高性能深紫外LED器件的关键。然而，AlGaN中镁（Mg）杂质离化能很大，成为实现其高效p型掺杂的核心难题。短周期超晶格技术路线能有效降低AlGaN中Mg杂质的离化能，并通过微带有效提升载流子输运性能；但是，短周期超晶格中微带的形成要求可控制备亚纳米厚度势垒层，这...
基于量子工程非平衡掺杂实现高效p型掺杂AlGaN（图）
量子工程 非平衡掺杂 高效p型掺杂AlGaN 超宽禁带氮化物材料
2022/4/22
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵研究员团队和中国科学院半导体所邓惠雄研究员合作报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究团队发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获得低电阻、高空穴浓度的AlGaN材料，进而制备高性能深紫外LED。