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上海技物所在高鲁棒性薄层低维探测材料增强吸收与调控方面取得进展(图)
鲁棒性薄层 低维探测材料 吸收
2023/11/29
2023年11月6日,以中国科学院上海技术物理研究所为依托单位的红外科学与技术重点实验室(红外物理国家重点实验室)在基于连续域束缚态的高鲁棒性薄层低维探测材料增强吸收和调控方面取得重要进展,研究团队通过对环形偶极子连续域束缚态的研究,围绕基于薄层低维材料的红外器件在增强吸收的物理层面突破结构损耗、提升波长稳定性、调控谐振位置与吸收效率等方面开展探索,解决了相关基础物理问题,实现了单原子层探测材料高...
首先对四元数进行李代数空间指数映射,解决了多个四元数插值问题,并结合距离倒数插值方法实现网格边界扰动向空间网格的传播,建立了新型高鲁棒性的四元数变形网格技术. 针对该型动网格技术中由于大型矩阵运算量引起的运算效率低问题,同时利用四元数方法在动网格变形中具备与物面边界高阶一致性的特点,提出了分层次变形策略,避免了面向全流场网格节点的大型矩阵运算;进一步基于无限插值技术较强的逻辑保持能力,建立了面向结...
首先对四元数进行李代数空间指数映射,解决了多个四元数插值问题,并结合距离倒数插值方法实现网格边界扰动向空间网格的传播,建立了新型高鲁棒性的四元数变形网格技术. 针对该型动网格技术中由于大型矩阵运算量引起的运算效率低问题,同时利用四元数方法在动网格变形中具备与物面边界高阶一致性的特点,提出了分层次变形策略,避免了面向全流场网格节点的大型矩阵运算;进一步基于无限插值技术较强的逻辑保持能力,建立了面向结...
基于最优控制电压的高鲁棒性PUF电路设计
物理不可克隆函数 零温度系数点 鲁棒性 电路设计
2017/1/9
物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)电路作为一种新型的信息安全电路,依赖集成电路制造过程中硅器件的固有工艺偏差产生密钥.本文提出一种高鲁棒性PUF电路设计方案,首先分析MOSFET在零温度系数点(Zero Temperature Coefficient,ZTC)的工作特性,然后结合提高PUF电路鲁棒性的途径,确定PUF电路的结构及最优控制电压,最终...
高鲁棒性和独特性的图像局部不变特征描述
局部不变特征 仿射不变 尺度不变特征变换算法 局部二进制模式描述子
2013/11/20
为了提高尺度不变特征变换(scale invariant feature transform, SIFT)算法的不变性,并降低图像中存在多个相似区域时的误匹配率,提出了一种将基于局部二进制模式的中心对称的改进局部三进制模式(center symme-tric improved local ternary patterns, CS-ILTP)描述子和全局灰度值分布(global distributi...