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本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...
中国科学院新疆理化技术研究所材料物理与化学研究室常爱民研究团队致力于薄膜型NTC热敏电阻材料及元器件的研发。先后采用激光分子束外延技术、激光脉冲沉积技术、化学溶液沉积技术制备出了具有良好择优取向的NTC热敏电阻薄膜。为了进一步实现薄膜材料的器件化，该团队科研人员在比较了各种薄膜制备技术的优劣后，选择磁控溅射法制备具有稳定负温度系数热敏特性的薄膜材料。