搜索结果: 1-5 共查到“光学 分子束”相关记录5条 . 查询时间(0.173 秒)
采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面,a面,r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜,X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜,在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜,生长在r面蓝宝石衬底上的非极性B...
采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构。通过引入厚的ZnxCd1-xSe空间层,抑制了MgSe垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构。通...
离子分子束源的浓度调制光谱研究
交流辉光放电 氮分子 浓度调制
2009/10/26
建立了一套交流放电产生离子分子束源的装置，以N2为例，束流中N＋2的发射谱强度远大于N2的发射谱强度，N+2(B)/N2(C)高达6∶1。根据其发射谱，对交流放电过程和浓度调制光谱进行了测量研究，并计算了离子分子激发态振动温度和转动温度，分别为3 310和282 K。
近日，我所陈平平博士提出的“InN-基全太阳光谱光伏材料的分子束外延生长和物性研究”获得2004年上海市光科技计划资助。InN及InGaN(富In)半导体是当今半导体领域研究热点,由于该材料体系很难生长，一直来对于其基本的物理性质如缺少认识。最近的研究表明该InGaN材料体系能带从0.7到3.4eV连续可调，为全太阳光谱光伏材料体系，理论研究表明由该材料制备的太阳能电池效率高于50%（高于目前所有...