搜索结果: 1-15 共查到“二次电子”相关记录18条 . 查询时间(0.334 秒)
测量二次电子空间分布特征矩阵法的有效性分析
二次电子发射 空间分布 测量结构 模拟计算
2021/1/22
为了准确测量不同材料在实际环境中的二次电子空间分布，设计了一种新型的二次电子发射空间分布测量结构，给出了实验测量原理，用求解特征矩阵的方法对实验结果进行处理，得到了所需的二次电子空间分布。通过模拟计算对该测量方法进行了校验，模拟结果与假设二次电子空间分布函数相吻合，表明该测量方法可靠、测量精度高，为后续样机研制奠定了理论基础。
具有埋层结构电介质样品扫描电镜二次电子特性
电介质 埋层结构 扫描电镜 二次电子电流
2017/1/9
采用较为全面的考虑电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值模型,阐明了具有埋层结构电介质样品的扫描电镜检测机理及二次电子电流的动态特性.模拟结果表明,被沟槽界面俘获的电荷会影响空间电场分布,从而影响二次电子特性.随着电子束照射,样品表面沿着深度方向的电场强度增强,更多的二次电子返回表面,从而产生图像衬度.图像衬度随电子束能量的变化呈现极大值,而随电子束电流的增大而增大,模拟结果与实验结果基本一致.
MPCVD生长B掺杂金刚石膜的二次电子发射研究
B掺杂金刚石膜 负电子亲和势 二次电子发射系数 氧化处理
2014/3/18
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为。对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9。值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理。如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留。另外,10 mg/L B2H6/CH4 掺杂样品在酸溶液中处...
低能电子束照射电介质样品的二次电子特性
电介质 电子束照射 二次电子电流 二次电子产额
2017/1/16
为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性，将蒙特卡洛法和有限差分法相结合，建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型；采用一个改进二次电子检测实验平台，准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明，相对于电子束脉冲照射模式，电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下，随着电子束照射，二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射...
二次电子发射和负离子存在时的鞘层结构特性
等离子体鞘层 二次电子发射 负离子
2009/9/11
建立了包括电子、离子、器壁发射二次电子以及负离子多种成分的等离子体无碰撞鞘层的基本模型，讨论了二次电子发射和负离子对1维稳态等离子体鞘层结构的影响，并且分析了多种成分等离子体鞘层内的二次电子和负离子的相互作用。结果表明：二次电子发射系数的增加和负离子含量的增加，都将导致鞘层的厚度有所减小；二次电子发射系数超过临界发射系数之后，鞘层不再是离子鞘。随着器壁材料二次电子发射系数的增加，鞘层中的负离子密度...
金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系
高能电子 二次电子发射系数 能量幂次
2009/8/21
根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式，推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式；并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系，推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n，采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系，...
纳米金刚石薄膜的二次电子发射特性
高平均功率自由电子激光 纳米金刚石膜 微波等离子体化学气相沉积方法
2009/8/21
简要介绍了微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程，并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置，得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数，取得了二次发射系数为15的满意结果，表明纳米金刚石薄膜作为二次电子发射材料具有很好的应用前景。
双边二次电子倍增效应分析
双边二次电子倍增效应 敏感曲线 二次电子
2009/8/21
根据高功率微波源相互作用腔结构，建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和蒙特卡罗模拟方法，计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律，分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍增效应的影响。结果表明：高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应；二次电子倍增效应的时间演化与射频场的大小和腔结构呈非单调关系，且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多，这与理论分析的结果一致。
真空室材料二次电子产额特性研究
电子云 二次电子产额 真空室材料 TiN镀膜
2009/8/11
设计了针对加速器真空室材料样品的二次电子产额测试装置. 对测试装置的设计及测试过程进行了详细介绍, 并给出了常见真空室材料的二次电子产额测试结果以及不锈钢材料在经过镀~TiN~薄膜处理前后的测试对比结果, 分析了影响二次电子产额的一些因素, 为真空室的表面处理提供了依据.
低真空SEM影响二次电子图像分辨率的研究
气体离子 分辨率 电荷 低真空SEM
2009/6/23
低真空二次电子图像是在有空气存在的条件下对于没有事先处理过的样品拍摄得到的，小低真空气压一般能达到150MPa左右。当有气体存在时，样品发射出来的电子相互碰撞产生的离子和漂向样品表面的气体分子共同作用抑制电荷形成，因而可以更好地得到一些不能喷涂、不导电的一些样品的表面信息。本文从电子束能量、不同气压条件、电荷诱导等方面来研究低真空二次电子图像的分辨率。
金属的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射角的关系
入射角度 金属 有效真二次电子发射系数
2009/6/10
推导出高能原电子斜入射时的金属的有效真二次电子发射系数的表达式，它与入射角的余弦近似成反比，并对结果进行了讨论.
多级降压收集极CAD中的二次电子发射模型
微波器件 多级降压收集极 二次电子
2009/5/7
多级降压收集极被广泛应用于提高微波放大器件效率。多级降压收集极中的二次电子发射对其效率有重要影响。该文探讨了真二次电子、弹性反射电子、非弹性反射电子3种二次电子发射模型,对发射率、发射角度以及能量分布情况进行了深入分析,并对考虑二次电子后的收集极模拟计算收敛条件进行了讨论。上述结果在多级降压收集极CAD软件中得到应用,定量分析了其对多级降压收集极效率的影响。
高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系
二次电子 入射能量 金属
2009/2/19
提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系，然后用实验数据证明了该理论的正确性，最后对结果进行了讨论。得到了如下结论：不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时， 它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量，有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。
提高砷化镓二次电子发射系数的探讨
二次电子发射系数 负电子亲和势 二次电子发射材料
2009/2/9
介绍了延长负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度的设计，并给出了经过特殊设计的这种砷化镓的能级示意图，然后对通常的砷化镓和经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数的理论值进行了比较，得出：当原电子入射能量较低（小于10 keV）时，两种砷化镓的二次电子发射系数差值较小;当原电子入射能量较高（大于20 keV）时，经过特殊设计的砷化镓的二次电子发射系数比普通砷化镓的二次电子发射系数大，而且随着原...