搜索结果: 1-15 共查到“多晶硅”相关记录64条 . 查询时间(0.304 秒)
UnitedSolarHoldingInc.宣布将在苏哈尔港和自贸区奠基多晶硅项目
自贸区 多晶硅 中国石化
2024/3/21
UnitedSolarHoldingInc.宣布，在阿曼苏丹国苏哈尔港和自贸区（苏哈尔）的多晶硅工厂项目将奠基动工。这一耗资13.5亿美元的地标性项目将成为全球最大的项目之一，也是中东首个年产能达到10万吨的项目。其预计将于2025年投入运营，该项目凸显了可持续增长和发展的愿景。
一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器，对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理，其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大，提纯处理的超纯氢气(H2纯度＞99.9999％)返回还原炉，用于三氯氢硅还原的原料气，而第二组氢气纯化器相对较小，提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999％)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99％。当循环...
一种多晶硅生产过程中三氯氢硅还原循环氢气提纯氢气的方法。采用金属钯复合膜氢气纯化器对三氯氢硅还原循环氢气中的各种杂质进行拦截，使得氢气的纯度提高1-3个数量级，各种杂质浓度降低1-3个数量级。当循环氢气中氯化氢HCl含量超过3ppm时，需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅，不仅可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量，而且可以明显降低生产过程的氢耗、...
新思路优化多晶硅生产工艺
中国石化 生产工艺 基础材料
2023/12/19
2019年，蔡达理博士毕业进入工程建设公司，工作中逐步掌握了逆流重整等逆流移动床平台技术的技术路线和工艺流程，并了解了新能源基础材料多晶硅的前沿技术。
中国科学院宁波材料技术与工程研究所开发出效率达24.3%的多晶硅钝化接触n型晶硅太阳电池（图）
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 效率 24.3% 多晶硅钝化 接触 n型晶硅 太阳电池
2020/3/30
多晶硅钝化接触技术（通常称TOPCon，也称为POLO、PERPoly、monoPolyTM、iTOPConTM、PERTOPTM）被广泛认为是最有希望的继PERC电池之后的下一代高效晶硅电池技术之一，是晶硅太阳电池技术领域的研究重点。截至2020年3月，全世界就该技术共发表近190余篇期刊和会议论文，德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）、德国哈梅林太阳能研究所（ISFH...
基于PN结级联的高效多晶硅光源实现
PN结级联 高效 多晶硅光源
2019/3/26
电子科技大学徐开凯课题组借助标准硅IC工艺研制出单片集成的全硅发光器件，实现基于PN结级联的高效多晶硅光源，在全硅半导体光电器件与集成技术领域取得新突破，为我国集成电路产业蓬勃发展奠定了坚实基础。
1064 nm、532 nm、355 nm波长脉冲激光辐照多晶硅损伤特性研究
波长 多晶硅 损伤阈值 微结构
2016/8/4
为系统研究不同波长激光与多晶硅材料的相互作用,采用1 064 nm、532 nm、355 nm波长单脉冲激光对多晶硅进行辐照实验,研究多晶硅在这三种波长激光下的损伤形态。实验结果表明:在其他参数不变的情况下,损伤阈值随激光波长的减小而变小,且与波长呈线性关系;在低能量密度水平下,355 nm激光与物质作用主要是以光化学模型为主的光化学-光热共同作用方式,其他波长为光热模型;在激光能量密度处于低水平...
搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管
搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管
2014/3/19
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
“太阳能级多晶硅材料提纯关键技术研发及检测服务平台的标准化建设”项目通过验收
太阳能 多晶硅材料 提纯
2012/7/26
2012年7月23日，福建省科技厅组织专家，对中科院福建物质结构研究所黄丰研究员主持完成的省科技重大专项专题“太阳能级多晶硅材料提纯关键技术研发及检测服务平台的标准化建设”进行了验收。在听取项目组的工作汇报后，专家组认为，该专题已按计划完成各项研发任务，一致同意通过项目验收。
在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上，改变扩散工艺条件，制备一系列的方块电阻发射极.在未改变其他工艺参数的条件下，当发射极方块电阻升高时，短路电流持续上升，开路电压在接近70 Ω/□时接近饱和，而填充因子（fill factor,FF）则因串联电阻的增加呈下降趋势.器件的效率在70 Ω/□方阻发射极时达到最大值.通过光致发光图(photoluminescence, PL)比较方阻为50和70 Ω...
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
镍硅化物 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管
2012/8/7
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流, 同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是...
表面钝化对多晶硅绒面形貌的影响
多晶硅 绒面技术 陷光效应 反射率
2012/12/12
多晶硅表面制绒技术是太阳能光伏产业亟待突破的一个关键技术.本文根据多晶硅强酸制绒的基本原理,提出了表面活性剂钝化多晶硅表面以降低硅原子与酸反应速度从而改善多晶硅绒面形貌的方法.实验研究了不同含量的添加剂对酸液刻蚀多晶硅绒面形貌的影响,用扫描电镜观察对应的绒面结构,用积分反射仪测量其绒面的表面反射率.实验结果表明:加入活性剂后酸液能使多晶硅表面陷阱坑分布更加均匀,并且能有效消除产生漏电流的缺陷性深沟...