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单细胞电学特性流式分析方法及分析仪器研究取得进展（图）
单细胞 电学特性 流式分析 分析仪器
2023/7/20
近日，中国科学院微电子研究所健康电子中心研究员黄成军、副研究员赵阳团队，在单细胞电学特性流式分析方法及高通量实时分析仪器研究方面取得重要进展。
单细胞电学特性生物传感与分析技术为单细胞生物物理学研究提供了新维度。该技术已被证明在全血分析、肿瘤细胞分型和免疫细胞状态评估方面具有重要的应用潜力。然而，现有的电学检测方法难以实现高通量实时性分析，限制了需要大量系统实验的单细胞电学特性研究的开展。
2023年7月17日，微电子所健康电子中心黄成军研究员、赵阳副研究员团队在单细胞电学特性流式分析方法及高通量实时分析仪器研究方面取得重要进展。单细胞电学特性生物传感与分析技术为单细胞生物物理学研究提供了一个新维度。该技术已被证明在全血分析、肿瘤细胞分型和免疫细胞状态评估方面具有重要的应用潜力。但现有的电学检测方法难以实现高通量实时性分析，严重限制了需要大量系统实验的单细胞电学特性研究的开展。
拓扑电子材料（如拓扑绝缘体、磁性拓扑绝缘体等）由于具有特殊的拓扑性质和潜在的应用前景，近年来引起电子学及相关领域广泛关注，产生了一系列重要的研究成果。
北京化工大学数理学院2021年硕士研究生复试物理综合（包括电学30%、磁学30%、光学40%）样题
北京化工大学 数理学院 2021年 硕士研究生 复试 物理综合 电学 磁学 光学 样题
2021/5/8
北京化工大学数理学院2021年硕士研究生复试物理综合（包括电学30%、磁学30%、光学40%）样题。
北京化工大学数理学院2021年硕士研究生复试物理综合（包括电学30%、磁学30%、光学40%）大纲
北京化工大学 数理学院 2021年 硕士研究生 复试 物理综 电学 磁学 光学 大纲
2021/5/8
北京化工大学数理学院2021年硕士研究生复试物理综合（包括电学30%、磁学30%、光学40%）大纲。
石墨烯作为一种纳米级的新型二维材料，在电学方面能够实现亚微米级的弹道输运及较高的载流子本征迁移率，有望成为新一代电子元器件的基材。然而目前重离子辐照对石墨烯基器件电学性能影响的研究工作较缺乏，辐照影响机理仍不清楚。中国科学院近代物理研究所研究人员依托兰州重离子加速器开展了快重离子辐照石墨烯晶体管引起电学性能改变的研究，取得新进展。
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室 M02课题组韩秀峰研究员团队探索出具有T型磁结构的MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO的反铁磁耦合薄膜体系，可以用来实现两种SOT效应驱动垂直自由层磁矩翻转的全电学操控模式：Z型翻转模式和T型翻转模式。T型磁结构是指两个分别具有面内磁各向异性的CoFeB和具有垂直磁各向异性的CoFeB薄膜，通过中间Ta插层的层间相互作用耦...
2019年1月16日，2019年国家自然科学基金委与金砖国家科技创新框架计划合作研究“多铁材料的电学和磁学性质”重点项目启动会（NSFC-BRICS STI Framework Programme Meeting on Electronic and magnetic properties of multiferroic materials）在上海大学宝山校区东区7号楼510会议室成功召开。会议由上...
近日，中国科学院理化技术研究所与清华大学联合小组，在美国物理学会期刊Physical Review Fluids上首次报道了由振动诱发的液态金属表面法拉第波及液滴悬浮效应，论文题为《液态金属液池上激发的可电学切换的表面波及液滴跳跃效应》(Zhao X., Tang J., Liu J., Electrically switchable surface waves and bouncing drop...
中国传媒大学2019年攻读硕士学位研究生招生普通物理学(电学与磁学)考试大纲。
通过第一性原理计算分别研究了锯齿型和扶手椅型全氟化和部分氟化锗纳米条带的几何结构、稳定性、电学和磁学性质.结果表明，两类全氟化锗纳米条带的最优构型均为椅式构型，并均表现为非磁的半导体性质.全氟化能够有效地增大锗纳米条带体系的带隙，其带隙随着条带宽度的增加而减小.部分氟化的锯齿型锗纳米条带展现出反铁磁半导体的性质，而相应的扶手椅型锗纳米条带则为非磁性的半导体；这些体系的带隙随着氟化程度的增加而增大
基于单分子电学测量的反应动力学表征技术研究进展发表于《自然—通讯》（图）
单分子 电学测量 反应动力学 表征技术
2017/6/27
2017年5月22日，化学化工学院洪文晶教授课题组与丹麦哥本哈根大学、瑞士伯尔尼大学研究人员合作，在基于单分子电学测量的反应动力学表征技术方面取得重要进展，相关研究成果以“Single-molecule detection of dihydroazulene photo-thermal reaction using break junction technique”为题发表在《自然-通讯》(Nat...
铁磁绝缘体中磁子输运性质的全电学方法研究获进展
全电学 铁磁
2016/2/24
磁性存储和磁逻辑等自旋电子学器件的核心在于自旋信息的传递，特别是自旋信息的产生、操控和探测是自旋电子学领域的一个基本问题。现有的自旋电子学中自旋信息主要依赖金属中的传导电子，一个非常有趣的问题是，是否有其他粒子甚至是准粒子可以作为自旋信息的载体？作为铁磁体中低能激发态的准粒子——磁子，是一种玻色子，并且一个量子化的磁子携带一个普朗克常量的自旋角动量。在金属中，传导电子自旋的输运通常伴随着电荷的输运...
绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析
SGOI p-MOSFET Ge合金组分
2013/9/23
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明，与传统的SOI p-MOSFET相比，SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数，就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较...