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最近被发现的具有钒Kagome格子的层状化合物AV3Sb5 (A=K, Rb, Cs)系列具有丰富的物性，为研究超导、电子关联以及拓扑及其相互作用提供了一个理想的平台。AV3Sb5体系在78~103 K会发生面内2*2的晶格周期调制，即电荷密度波（charge density wave，CDW）转变。已有研究发现该电荷密度波存在非常规的磁响应，在高压下与超导态相互竞争，并且可能与巨大的反常霍尔效应...
与拓扑相关的研究是最近物理学领域的一大热点课题。继发现Weyl半金属(PRB83, 205101 (2011))和Axion绝缘体(PRL 108, 146601 (2012))，我校物理学院万贤纲教授课题组又在掺杂拓扑绝缘体可能的电声子耦合导致非常规超导方面取得进展。
杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅰ)
2007/12/13
将晶格振动的平面波线性组合得到一组充分反映杂质格位对称性的正则模(对称“驻波”)。任一对称类型的驻波的频谱分布只与整个格波的频谱分布差一个常数因子。使用对称分析得出电声子耦合导致杂质中心吸收或荧光带变宽的位差效应中的对称驻波选择定则,指出参与电声子耦合的声子的频率基本上遍布于全部格波的频谱,并且定性地估计了纵波声子的耦合强度对波长的函数关系的轮廓;从而对Williams位形坐标理论的本质作出了批判...
杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅱ)
2007/12/12
在这篇文章中,我们用一维晶格模型讨论了杂质中心中电声子耦合强度的问题。用场论方法严格地解得了含杂质晶格之运动方程的本征函数。由此得到了电声子耦合强度的解析表示式,它是用声子的波数k、表示相互作用范围的参量λ以及杂质参量P=γ′/γ解析地表示出来的。其中γ′和γ分别为杂质与近邻之间和一般近邻之间的力常数。对结果的分析表明,只改变质量的杂质不影响电声子耦合;导致力常数变化的杂质对电声子耦合有显著的影响...