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电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究
Si阵列微孔 电化学方法
2009/10/28
对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索， 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度， 蚀刻出符合要求的管坑阵列， 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。