搜索结果: 1-15 共查到“电弧离子镀”相关记录58条 . 查询时间(0.077 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种利用电弧离子镀沉积高质量薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 薄膜
2023/12/27
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用电弧离子镀沉积高质量 薄膜的装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性 能和寿命等问题。本实用新型双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与 基体之间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本实用新 型是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量, 提高薄膜的质量,达到制备高质量薄膜的要求。
中国科学院金属研究所专利：耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 耦合磁场 电弧离子镀 沉积装置
2023/12/26
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种耦合磁场辅助电弧离子镀沉 积装置,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高 靶材刻蚀均匀性。本实用新型电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套 放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场辅助对基体进行沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布...
中国科学院金属研究所专利：一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积工艺 动态磁控弧源
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,...
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备
中国科学院金属研究所 专利 PLC可控 旋转横向磁场 电弧离子设备
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动 的PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备。该电弧离子镀设备设有靶材、 旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内设置基 体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于真空室 外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与法兰套 或者炉体管道之间通过绝缘保护。本实用新型通...
中国科学院金属研究所专利：可调速调幅的旋转磁场控制的电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 调速调幅 旋转磁场 电弧离子镀 弧源
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种可调速调幅的旋转磁场控制 的电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生装置 为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上,磁 极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁极 上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120°的 三相励磁顺序供电,在磁极包围的空间内...
中国科学院金属研究所专利：一种动态受控电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 动态受控 电弧离子镀 弧源
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用动态磁场控制弧斑运动的电 弧离子镀弧源。所述动态受控电弧离子镀弧源设有动态控制磁场发生装置、靶材、 靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置 和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置放置于靶材后面,和靶材同轴放置, 辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。本发明通过两组磁场发生装置配 合使用,在靶面上形成动态分布的拱形磁场,...
中国科学院金属研究所专利：提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积 薄膜质量
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的 装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性能和寿 命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之 间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本发明是在电弧 离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量,降低薄膜表 面的粗糙度,提高薄膜的性能和寿命,达到制备高...
中国科学院金属研究所专利：旋转磁控电弧离子镀弧源
中国科学院金属研究所 专利 旋转磁控 电弧离子镀 弧源
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋 转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生 装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上, 磁极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁 极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120° 的三相励磁顺序供电,在磁极包围的空...
中国科学院金属研究所专利：一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺
中国科学院金属研究所 专利 磁场增强 电弧离子镀 沉积工艺
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺, 用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高靶材刻蚀 均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套放置于靶材后 面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场辅助 对基体进行沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,解决了 传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提...
中国科学院金属研究所专利：多模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置
中国科学院金属研究所 专利 旋转横向 磁场控制 电弧离子镀
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的多 模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置。该电弧离子镀装置设有 靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内 设置基体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于 真空室外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与 法兰套或者炉体管道之间通过绝缘保护。本发明通...
中国科学院金属研究所专利：电弧离子镀膜装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧 离子镀膜
2023/11/9
本实用新型属于材料表面改性领域,涉及一种用于长管内壁镀膜的磁场和电场增强的电弧离子镀膜装置。通过在电弧离子镀过程中采用磁场约束和控制等离子体束流运动轨迹,在电弧离子镀沉积装置中设置两套磁场发生装置,一套放在真空室外的等离子体传输通道上,即用磁场对等离子体束流进行聚焦,约束等离子体束流传输时的横截面直径和传输效率,另一套放置于真空室内的管状工件外侧,引导等离子体束流沿着管状工件中心轴向方向扩散；在电...
中国科学院金属研究所专利： 一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置
中国科学院金属研究所 专利 非晶薄膜 电弧离子镀 冷却
2023/10/16
本实用新型属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于制备非晶薄膜的电弧离子镀冷却装置,包括冷凝剂输入管、冷凝剂输出管、法兰盘、绝缘垫圈及样品台,其中法兰盘通过绝缘垫圈密封安装在电弧离子镀炉体上,所述冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的一端分别安装在法兰盘上,并由法兰盘穿出分别与外部流速可控的冷凝剂循环系统的进、出水口连接,冷凝剂输入管及冷凝剂输出管的另一端连接有样品台,该样品台及法兰盘以下的部分冷凝剂输入管和冷...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材的设计及其应用。复合结构靶材为靶壳及磁性材料靶材构成,靶壳紧固于磁性材料靶材外围；其中,靶壳为低饱和蒸气压和低二次电子发射产额的金属靶壳；或者,靶壳为陶瓷相材料层依附于可加工金属环上形成的靶壳,可加工金属环紧固于磁性材料靶材外围,陶瓷相材料层依附于可加工金属环在与磁性材料靶材的靶面平行方向的面上。本发明解决了电弧离子...
本发明属于材料表面改性领域,涉及一种用于长管内壁镀膜的磁场和电场增强的电弧离子镀膜装置。通过在电弧离子镀过程中采用磁场约束和控制等离子体束流运动轨迹,在电弧离子镀沉积装置中设置两套磁场发生装置,一套放在真空室外的等离子体传输通道上,即用磁场对等离子体束流进行聚焦,约束等离子体束流传输时的横截面直径和传输效率,另一套放置于真空室内的管状工件外侧,引导等离子体束流沿着管状工件中心轴向方向扩散；在电弧离...
中国科学院金属研究所专利：一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法
中国科学院金属研究所 专利 磁场 电场 电弧离子镀 长管内壁镀膜
2023/9/28
中国科学院金属研究所专利：一种磁场和电场增强的电弧离子镀长管内壁镀膜方法