搜索结果: 1-3 共查到“理学 磁存储”相关记录3条 . 查询时间(0.209 秒)
上海科技大学拓扑物理实验室在二维范德华铁磁材料的磁存储方面取得新进展（图）
二维范德华 铁磁材料 磁存储
2024/3/27
二维范德华铁磁体具有固有的长程磁有序和高度的磁可调谐性, 为高能效、非易失性自旋电子学的发展提供了一个新平台。同时，较弱的层间范德华力有利于二维铁磁与其他材料的异质集成，可拓宽相关器件的应用。近日，上海科技大学拓扑物理实验室寇煦丰团队（信息学院）、李刚团队（物质学院）和陈宇林-柳仲楷团队（物质学院）利用分子束外延（MBE）技术生长了具有晶圆级尺寸、原子级平整表面的CrTe2薄膜和Bi2Te3/Cr...
南京大学物理学院缪峰团队（https://nano.nju.edu.cn）长期从事二维层状材料的量子调控与器件应用研究。近日，缪峰团队利用面内单轴应力，对层状磁性材料Fe3GeTe2（FGT）的磁性状态进行原位调控，在实验上实现了超灵敏的磁矩翻转；团队还进一步和中国人民大学季威团队开展合作，对FGT中磁性状态的应变调控机制进行了理论分析和解释。该工作展现了利用应变来实现层状磁性材料物性调控的独特优...
把半导体硅成功引入磁传感器领域清华师生国内首次以第一单位在《自然》发表磁电阻领域成果将对磁传感器和磁存储工业产生革命性影响（图）
半导体硅 引入 磁传感器领域 清华师生 国内 首次 第一单位 自然 发表 磁传感器 磁存储工业 影响
2011/9/22
今天出版的《自然》（Nature）上刊登了清华大学材料系章晓中教授研究组的最新研究成果——《硅的低场磁电阻的几何增强》(Geometrical enhancement of low-field magnetoresistance in silicon)，这是国内首次以第一单位在《自然》或《科学》（Science）杂志上刊登磁电阻领域的研究成果，也是磁电阻领域的一项重大突破。章晓中是本篇论文的通讯作...