搜索结果: 1-15 共查到“物理学 超导电性”相关记录41条 . 查询时间(0.146 秒)
温超导体研究领域取得新进展。团队通过理论模拟预测在碳原子形成的笼状网络晶体中存在100 K以上的超导电性,并指出碳笼耦合是高温超导电性的关键因素,该研究为探索新型轻质元素高温超导体提供了新的方向。相关研究成果以Superconductivity Above 100 K Predicted in Carbon-Cage Network为题于2023年10月10日发表在的Advanced Scienc...
中国科学院研究揭示Half-Heuslar合金YPtBi的非常规超导电性(图)
合金 超导电性 拓扑量子计算
2023/8/16
拓扑量子计算可有效抵抗杂质、相互作用等的扰动,从而解决量子退相干与纠错的问题,实现容错量子计算。本征拓扑超导材料的超导态具有非常规的超导能隙结构,在晶体材料的自然边界可产生马约拉纳零能模式,是实现拓扑量子计算的主要方案之一。相比其他方案,该方案从原理上可回避诸如两种材料的晶格不匹配对拓扑保护的影响以及磁场/磁性杂质引入的其他低能态等问题,是当前凝聚态物理研究的前沿方向。然而,由于马约拉纳费米子的自...
拓扑量子计算可以有效抵抗杂质、相互作用等的扰动,从而解决量子退相干与纠错的问题,实现容错量子计算,因此引起学界广泛关注。其中,本征拓扑超导材料的超导态具有非常规的超导能隙结构,在晶体材料的自然边界即可产生马约拉纳零能模式,是实现拓扑量子计算的主要方案之一。相比于其他方案,从原理上可以回避诸如两种材料的晶格不匹配对拓扑保护的影响,和磁场/磁性杂质引入的其它低能态等问题,是目前凝聚态物理研究的前沿方向...
富氢材料SnHx的超高压合成与超导电性研究(图)
富氢材料 SnHx 超高压合成 超导电性
2023/1/6
HfTe3单晶中发现高压诱导的高度各向异性超导电性(图)
HfTe3单晶 高压诱导 各向异性 超导电性
2023/1/6
最近,中科院合肥研究院强磁场中心的高压研究团队与郑州大学的李新建教授合作,利用高压研究手段在三元黄铜矿光伏半导体光学、电学性质的调控研究中取得重要进展,相关研究成果以“Pressure-engineered optical properties and emergent superconductivity in chalcopyrite semiconductor ZnSiP2”为题,发表在Spr...
ZrNCl薄层中基于固体离子导体场效应管的电场诱导的超导电性
超导电性 薄膜超导 电场调控 栅压调控效应
2022/3/23
近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心极端条件物理重点实验室EX6课题组副研究员洪芳、于晓辉与研究员程金光,中科院院士、物理所超导国家重点实验室研究员赵忠贤,以及北京高压科学研究中心研究员杨留响合作,克服各种高压技术难点,通过在70微米的金刚石对顶砧台面上手工布置标准四电极引线,采用氨硼烷作为氢源,利用激光加热使其分解产生氢气并与放置在金刚石对顶砧压腔内的La金属薄片反应。通过调节...
南京大学闻海虎教授团队在一种新型铁硒基绝缘体材料CsFe4-xSe4中利用高压诱导出非常规超导电性(图)
闻海虎 教授 新型 铁硒基绝缘体材料 CsFe4-xSe4 高压 非常规 超导电性
2020/10/22
超导体的传统理论是1957年由美国科学家巴丁-库柏-施里佛(Bardeen-Cooper-Schrieffer)所发明的BCS理论,该理论因为成功解释了金属和合金中的超导机制而获得1972年的诺贝尔物理学奖。BCS理论的物理精髓是讲在费米面附近动量和自旋相反的两个电子通过交换晶格的虚振动模(所谓声子)而达到吸引作用,形成电子配对,即库柏对。这种电子对作为载流子,其量子统计规律完全不同于金属中的单电...
基于标准四电极法研究笼型富氢化物LaH10的高温超导电性(图)
室温超导 LaH10 高温超导电性 富氢超导材料
2021/8/18
自从1911年超导现象被发现以来,室温超导一直是人们孜孜以求的目标。然而,基于电-声耦合机制的常规超导体,其超导临界温度(Tc)通常很难超过麦克米兰极限~40K。上世纪80年代发现的铜氧化物高温超导体为实现室温超导带来了希望,但经过30多年的研究,最高Tc(常压下~134K,高压下~164K)很难进一步提高,而且非常规超导机理至今仍悬而未决。另一方面,根据BCS理论,人们预期如果在高压下获得金属氢...
中国科学院上海光学精密机械研究所在超导拓扑绝缘体CuxBi2Se3的非常规超导电性研究中取得进展(图)
中国科学院上海光学精密机械研究所 超导 拓扑绝缘体 CuxBi2Se3 超导电性
2020/3/17
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室与复旦大学、北京高压科学研究中心、南京航空航天大学等合作,在超导拓扑绝缘体CuxBi2Se3的超导机理研究方面取得进展,成功生长出目前该体系最高超导转变温度的单晶样品(Tc=4.18K),进一步系统的电、磁输运性质研究表明该体系属于掺杂半导体家族中的非常规超导体,为铋硒基拓扑材料的超导机理研究作了的重要补充。相关研究成果于3月13日在线...