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中国科学院工程热物理研究所专利:谐波法微/纳米薄膜热物性测试方法
关于热生长SiO2薄膜厚度的测量          2007/12/13
在半导体硅器件的研究工作中,需要准确地测量和控制SiO2薄膜的厚度。由于干涉原理,SiO2薄膜在白光照射下呈现颜色。但薄膜厚度与颜色相应的单色光的波长并不成简单的函数关系。本文叙述了用干涉显微镜测量热生长SiO2薄膜厚度的方法。由测量结果得到SiO2薄膜的折射率以及SiO2和硅界面及空气和硅界面反射相移之差。并且测量了一组标准样品的薄膜厚度,列出了薄膜厚度与干涉颜色的对应关系。所得结果与从Roll...
期刊信息 篇名 SiNx薄膜热物性参数实验测量与分析研究 语种 中文 撰写或编译 撰写 作者 余雷,余建祖,王永坤 第一作者单位 北京航空航天大学 刊物名称 物理学报 页面 vol.53,n.2,p.401-405 出版日期 2004年 月 日 文章标识(ISSN) 1000-3290 相关项目 电子薄膜传热性能测量及分析研究

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