搜索结果: 1-15 共查到“凝聚态物理学 半导体”相关记录360条 . 查询时间(0.288 秒)
二维共轭聚合物(2DCPs)是一类新型的半导体材料体系，其独特的拓展二维共轭结构，预示其优异的光电特性，在有机电子学领域具有重要应用前景。然而，目前报道的大多数2DCPs材料的光电性能仍然相对较差，同时具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的研究报道很少。造成该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其往往不发光或者荧光特性差。
国家纳米科学中心层状半导体中非平衡双曲等离激元的全光超快调控（图）
层状半导体 等离激元 凝聚态物理
2024/2/25
光与物质相互作用产生的包含极化电荷集团振荡的杂化电磁模式称为极化激元，通过极化激元可实现纳米尺度的光局域和光调控。2024年来，各向异性的层状材料为极化激元调控提供了灵活的维度，成为极化激元中的重要平台。在各向异性材料中，介电张量为均为正值的体系支持各向异性光学波导。而当同时具备正负值的介电张量时，范德华层状材料的光学等频面为开放的双曲面形并支持双曲极化激元。双曲极化激元在超分辨成像、高灵敏探测、...
苏州纳米所张其冲等合作Nature：通过机械设计制备高质量半导体纤维（图）
张其冲 机械设计 半导体纤维
2024/4/10
纤维技术的最新突破将具有紧密界面的功能材料在一维限域空间内实现精准组装。由于半导体是控制器件性能的关键组件，因此纤维内部半导体的选择、控制和工程化是实现高性能功能纤维的关键途径。由于加工温度低和流体行为可控，玻璃状半导体通常用于热拉光纤。然而，与电子领域最广泛使用的晶体半导体（例如硅和锗）相比，它们不可避免的高密度电子缺陷导致所制造的纤维的电性能较差。因此，晶体半导体的使用更有利于从根本上推动功能...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：半导体激光云高自动测量仪光机系统
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 半导体 激光云 自动测量仪 光机系统
2023/11/16
中国科学院合肥物质科学研究院专利：半导体激光云高自动测量仪光机系统
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究中取得进展（图）
半导体超晶格 莫尔异质 激子研究
2023/10/2
2023年9月25日，新加坡南洋理工大学教授高炜博与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员张俊合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoS2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，建立了DAP IX的动力学模型，解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以《MoS2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主对激子》（M...
聚合物半导体在可穿戴设备、健康监测、疾病诊断等新型领域中呈现出巨大的应用前景，基于聚合物半导体的柔性电子学是蕴含重大科学创新机遇的新领域。通常优异的电荷输运性能要求聚合物材料具有高结晶性，然而强结晶性会导致材料拉伸力学性能低。因此，设计合成高迁移率可拉伸的聚合物半导体极具挑战性。
中国科学院大连化物所实现半导体光催化硼化反应（图）
半导体 光催化剂 硫化镉纳米
2023/9/1
2023年8月24日，中国科学院大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组研究员戴文团队，在多相光催化硼化方面取得新进展。该团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂，利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用，通过选择性硼化反应，实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳（杂）环的高值转化，合成了硼氢化和硼取代产物。
氮杂环卡宾硼烷（NHC-BH3）由于化学性质稳定且制备方法简单，20...
中国科学院半导体研究所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
各向 异性平面 能斯特效应
2023/8/3
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 双应力 异质 SOI 半导体结构
2023/7/6
中国科学院微电子研究所专利：双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
中国科学院物理研究所二维半导体中本征极化子的原子级操纵（图）
二维半导体 绝缘体 催化
2023/6/28
极化子是半导体或绝缘体中的一种基本物理现象，是由材料体内的额外电荷（电子或空穴）在电声耦合作用下被束缚在局域晶格畸变处而构成的复合准粒子，对材料的输运特性、表面催化、磁性甚至超导性表现出极其重要的影响。在原子尺度下对极化子的表征和操纵有助于了解极化子的基本物理机制，乃至材料的基本物理特性。然而自极化子概念提出以来，已发现具有极化子的材料体系中，额外电荷往往来自于晶格缺陷，如空位、掺杂或吸附原子等，...
中国科学院半导体所在非互易光学介质几何理论方面取得进展（图）
半导体 光学介质 几何理论 非均匀材料
2023/5/31
光在复杂介质中的传播是光学和相对论的经典课题。在爱因斯坦提出广义相对论不久，W. Gordon，I. E. Tamm和G. V. Skrotskii等将费马原理推广到弯曲时空。1960年，J. Plebanski指出弯曲时空度规的空间分量和时空混合分量分别等价于非均匀各向异性光学介质的折射率(介电常数与磁导率)和反对称非互易磁电耦合参数。上述结果已被广泛应用于引力场量子效应的实验室模拟。2006年...
中国科学院半导体所在氮化物材料外延研究中取得进展（图）
半导体 氮化物材料 二维材料
2023/5/3
2023年4月27日，中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则，同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。
中国科学院半导体所在硅上In线的光致相变机理研究中获进展（图）
半导体 硅上In线 相变机理
2023/4/23
自20世纪初期，量子理论对技术发展做出了重大贡献。尽管量子理论取得了成功，但由于缺乏非平衡量子系统的框架，其应用主要限于平衡系统。超短激光脉冲和自由电子加速器X射线的产生，推动了整个非平衡超快动力学领域的发展。超快现象在物理、化学和生物等领域备受关注，例如光致相变、光诱导退磁、高能离子碰撞和分子化学反应等。非平衡超快领域的实验研究成果颇丰，已成为热点。然而，实验不能给出原子尺度的原子/分子位移，故...