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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应
CMOS图像传感器 质子辐照 单粒子效应 瞬态亮斑
2022/3/30
CMOS图像传感器应用于空间任务时容易受到质子单粒子效应影响。本文采用商用正照式（FSI）和背照式（BSI）CMOS图像传感器开展了不同能量的质子辐照实验，实验中通过在线测试方法分析质子单粒子效应。其中，质子能量最高为200MeV，总注量为1010particle/cm2，结果未发现外围电路的单粒子效应，但观察到像素阵列出现不同形状的单粒子瞬态亮斑。通过提取瞬态亮斑沉积能量和尺寸大小两个特征参数，...