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中国科学院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域获进展(图)
微电子所 集成技术 电子器件
2023/3/15
磁随机存储器(MRAM)因具有非易失性、低功耗以及高访问速度等特点,在未来新兴存储领域颇具应用前景。尤其是基于自旋轨道矩(SOT)技术的MRAM存储器具有超高速、高耐久性的优势,更适用于高速缓存。然而,在SOT-MRAM集成中存在技术瓶颈,制约了其走向应用。隧道结的刻蚀工艺是关键的技术挑战和难点之一。在SOT隧道结(SOT-MTJ)刻蚀过程中,金属副产物的反溅使得MTJ的MgO隧穿势垒层(厚度~1...