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2024年7月5日,中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD),其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣...
中国科学院半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器(图)
紫外激光器 氮化镓基材料 电流
2024/4/22
氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点,在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成,材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大,是国际半导体激光器领域研究的难点,受到了国内外的极...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TCAS-I和TCAS-II发表GaN MMIC功率放大器新成果(图)
方小虎 TCAS-I TCAS-II GaN MMIC 功率放大器 传输
2023/11/29
伴随电力电子技术在环保节能、智能电网中的应用,高压大功率的电力电子设备得到大力推广。GaN器件变流器因其特殊的控制性能变成大功率、高压化控制的核心。设计了一种基于神经网络PSD算法的GaN器件变流器控制系统。当GaN器件变流器出现异常后,系统中故障信息采集模块能够高效采集GaN器件变流器异常信息并传输至自适应控制模块,自适应控制模块采用神经网络PSD算法,实现GaN器件变流器自适应控制。
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件(日)
孙钱 电子器件 高性能离子
2023/7/18
氮化镓(GaN)电子器件具有更高耐压,更快的开关频率,更小导通电阻等诸多优异的特性,在功率电子器件领域有着广泛的应用前景:从低功率段的消费电子领域,到中功率段的汽车电子领域,以及高功率段的工业电子领域,目前650V级的GaN基横向功率器件(如HEMT)已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统,而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
氮化镓高电子迁移率晶体管 堆叠半桥 LLC 宽电压输入
2024/3/15
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高。这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求。同时,为了提高电源开关频率与设备效率,将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)器件引入到LLC变换器设计中。...