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掺杂GaAs/AlGaAs超晶格的激发态向受主中心跃迁的发光
GaAs/AlGaAs超晶格 激发态 受主中心
2009/5/19
掺杂GaAs/AlGaAs超晶格的激发态向受主中心跃迁的发光。
Low resistance ohmic contacts to n-GaAs for application in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers
ohmic contacts sputtering
2011/5/10
This paper reports on the results of optimization of ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during optimization concerned surface preparation, evaporat...
GaAs-AlGaAs双异质结（DH）外延片的位错检测
GaAs-AlGaAs 双异质结 外延片 位错检测
2008/10/24
我们用熔融KOH作位错腐蚀剂,并用位错跟踪腐蚀的方法显示DH外延片的位错,结果表明,可以依照 DH外延片顶层(P~+-GaAs层)的位错腐蚀坑形状,区分出从 n-GaAs延伸上来的位错和由异质结外延引进的位错.
分子束外延GaAs/AlGaAs高速器件与光电子器件材料
分子束外延 高速器件 光电子器件
2008/9/23
分子束外延（MBE）技术是研制超薄层微结构材料的主要技术手段之一。该成果在改进和完善国产MBE设备的同时，研制成功了高质量的GaAs/AlGaAsHEM材料、量子阱激光器材料和SEED材料。已用上述高速器件材料制作出11级和25级HEMT环形振荡器，其门延迟时间达32ps/门（77K）；研制生长的量子阱激光器材料实现了阈值低、波长可调的激光器，材料的阈电流密度已达94/cm^2；研制生长的自电光效...
Designing of GaAs/AlGaAs multiple quantum wells to enhance magnetooptical Kerr effect
magnetooptical Kerr effect (MOKE)
2011/5/4
In this article we study magnetooptical Kerr effect (MOKE) of the GaAs/Al0.31Ga0.69As multiple quantum wells (MQWs). Firstly, comparing the measured spectra of MOKE with the theoretical ones we establ...