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搜索结果: 1-15 共查到晶体学相关记录1255条 . 查询时间(3.024 秒)
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:用于制备大截面钨酸铅晶体的坩埚及晶体生长方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种百微米直径单晶光纤的抛光方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利:一种桥式晶体散热块。
镍氧化物具有与铜氧化物相似的晶体结构和电子构型,被认为具有强关联效应,可能实现类似铜氧化物超导体的非常规超导电性,因此研究者们一直坚持在镍氧化物中探索超导电性。2019年斯坦福大学Harold Hwang研究组首次在无限层镍氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中发现了接近15K的超导电性(Nature 572, 624–627 (2019)),引起了超导界的关注;接着,2023年中山大学王猛团队在块...
圆偏振发光(CPL)材料在3D显示、信息加密、光电探测等领域表现出重要应用前景,引起广泛关注。CPL材料的性能主要通过发光不对称因子和发光量子效率两个重要参数进行表征。目前,合成兼具高不对称因子和高发光效率的CPL材料是该领域的一个难点。此外,CPL分子材料通常从单一手性物质与发色团相结合得到,并通过分子组装实现手性放大。如何从消旋分子出发,获得高性能CPL材料是该领域的一个挑战性课题。
2024年5月11日,中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心副研究员曹亮与合作者,依托稳态强磁场实验装置的多功能物性测试系统,在范德瓦尔斯层状结构的晶体研究中,引入层间平移自由度,为材料物态的有效调控提供了“纯净”的新策略。相关研究成果发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上。
常见的六方相氮化硼(hBN)因其化学稳定、导热性能好和表面无悬挂键原子级平整等特点,被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼(rBN)在保持hBN众多优异性质的同时,由于非中心对称的ABC堆垛结构,具有本征的滑移铁电性和非线性光学性质,是极具应用潜力的功能材料,可为变革性技术应用如存算一体器件和深紫外光源等提供新材料解决方案。然而,相较于常见的hBN晶体,rBN晶体属于亚稳相,制备多层rBN单...
非共价相互作用是超分子化学的基石,因此研究和发展新型非共价作用具有科学意义。生命体中广泛存在的基团——羰基,作为电子给体和受体参与多种非共价相互作用,如氢键、硫键和n→π*轨道作用等,在生命活动和分子组装中发挥关键作用。同时,动态共价键能够将非共价相互作用的动态性和共价键的稳定性结合,在构建功能组装体和材料方面展现出应用价值。动态共价体系的分子多样性为发现和量化非共价相互作用提供了新途径。

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