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Displacement damage dose is applied to analyze the irradiation effects of 2 MeV carbon ions and 0.28~20 MeV protons on homemade GaAs/Ge solar cells. The NIEL for each ion is modified by taking into a...
Amorphous SiO2 thin films with about 400—500 nm in thickness were thermally grown on single crystalline silicon. These SiO2/Si samples were firstly implanted at room temperature (RT) with 100 keV carb...

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