搜索结果: 1-4 共查到“物理学 Ga2O3”相关记录4条 . 查询时间(0.23 秒)
团队通过导模法生长了低浓度掺杂的Fe:β-Ga2O3单晶,并经过一系列结构和光学表征技术,研究了Fe掺杂β-Ga2O3在掺杂前后晶体微观结构的变化,证明了Fe原子在替位掺杂时优先取代八面体Ga位。研究对比了退火后费米能级和Fe3+自旋总数的改变,发现退火使费米能级下移,自旋总数减半,分析认为退火增强了β-Ga2O3晶体中Fe的俘获能力。结合上述结论可以更好的理解退火后电阻率升高的机理,为Fe掺杂β...
团队通过光学浮区炉生长了低掺杂的Ta:β-Ga2O3,并经过系列光学表征技术,研究了Ta掺杂β-Ga2O3的缺陷能级及退火前后光学性质。研究表示了掺Ta的β-Ga2O3晶体的缺陷能级及在晶体中的两种跃迁机制,计算了Ta在辐射跃迁的激活能。研究表明了Ta掺杂β-Ga2O3的禁带宽度随环境温度的升高而减小,退火处理后晶体的禁带宽度也随之减小,费米能级下降,功函数增加。为Ta掺杂β-Ga2O3单晶光学性...
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的β-Ga2O3纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的β-Ga2O3纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步...